Procesy osadzania wspomagane plazmą umożliwiają tworzenie wysokiej jakości cienkich warstw w niskich temperaturach.

Procesy osadzania są wykorzystywane na każdym etapie produkcji półprzewodników w celu tworzenia układów scalonych. Prawie każda faza produkcji wymaga zastosowania osadzania cienkowarstwowego. Warstwy te pełnią funkcje takie jak: twarde maski, powłoki antyrefleksyjne, warstwy pasywacyjne, czy enkapsulacja, a w aktywnych rolach także jako kondensatory, induktory, styki i połączenia. W Plasma-Therm® dopracowano asortyment do procesów osadzania wspomaganych plazmą, aby umożliwić uzyskanie właściwości warstwy niezbędnych do optymalnej wydajności urządzenia.

Od powłok dielektrycznych po metalizację, od domieszek po powłoki antyrefleksyjne i enkapsulację, procesy osadzania oparte na plazmie zapewniają wysoką wydajność, precyzję, elastyczność i pełną kontrolę procesu.

• PECVD – Plazmowe osadzanie chemiczne z fazy gazowej (PECVD) umożliwia utrzymanie stosunkowo niskiej temperatury podłoża, jednocześnie osiągając i kontrolując pożądane właściwości warstwy, takie jak stechiometria, współczynnik załamania światła czy występowanie naprężeń. Ponadto zapewnia bardzo jednorodne osadzanie.
• HDPCVD – Osadzanie chemiczne z fazy gazowej z plazmą wysokiej gęstości (HDPCVD) to specjalna forma PECVD, która wykorzystuje źródło plazmy sprzężonej indukcyjnie (ICP), aby zapewnić wyższą gęstość plazmy niż w standardowych systemach. Dzięki temu możliwe jest wytwarzanie wysokiej jakości warstw w jeszcze niższych temperaturach niż w przypadku konwencjonalnego PECVD.
• F.A.S.T.® – Fast Atomic Sequential Technology (F.A.S.T.) łączy zalety chemicznego osadzania z fazy gazowej (CVD) oraz osadzania warstw atomowych (ALD). Jest to technologia pochodna ALD, wykorzystująca impulsowy wtrysk gazów procesowych. Dzięki temu warstwy wykazują konformalność podobną do ALD, ale przy znacznie wyższych szybkościach osadzania.
• IBD – Ion Beam Deposition (IBD) jest technologią wykorzystywaną do osadzania cienkich warstw z szerokiej gamy materiałów w różnych procesach produkcyjnych. Funkcje przechyłu, obrotu podłoża i wspomagania wiązką jonów zapewniają możliwości, które nie są dostępne w innych technologiach osadzania.
• PVD – Fizyczne osadzanie z fazy gazowej (PVD) przy użyciu technologii rozpylania umożliwia osadzanie szerokiej gamy metali oraz reaktywne rozpylanie materiałów takich jak AlN, ScAlN i AlOx.

Zapraszamy do kontaktu w celu doboru najbardziej optymalnego urządzenia do Państwa potrzeb!